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第二百一十二章 请先生赴死！（第3页）

云帝乜了他一眼，“认识？”

程进回了一个白眼，“废话！我也是干这行的！虽然我确实水了点，但我毕竟是做科研的，行业领域内什么新动向我还是知道的。”

他手指点了点照片，“林本坚，夷积电高级工程师，在当前193nm光刻光源停滞了二十多年无法突破下，去年提出了浸入式光刻技术，算是一个另辟蹊径的发展方向。”

说到这里，他摇了摇头，“但是，他的理论，并不被当前的市场所接受。去年提出的时候，没有市场买单。

现在的路径一共四大阵营，尼康占主导的157nm激光、因特尔BMD摩托骡拉联合的13.5nmEUVLLC、NEC托西巴NTT和IBM联合的1nm接近式X光、朗讯贝尔实验室高的0.004nmEPL和0.00005nmIPL。

后面两个算是浪漫阵营，纯理论研究，他们就没想过产业化的事情。

而EUV太超前，短期内根本无法实现。

我个人还是更看好尼康的干式157nm技术路径。”

卿云笑了，他懒得和程进扯什么科学英雄史观的问题，更没兴趣和他聊技术路径路径，开口说道，

“荷兰的ASML正在和林本坚一起共同攻坚浸入式光刻技术。”

程进闻言摇了摇头，“没用的，浸入式通过水滴折射确实可以跳过157nm，直接做到134nm波长，而后就会被65nm的最高生产分辨率给卡住，到时候怎么办？

小卿，光刻是要遵循瑞利公式的，λ为光源波长、NA为数值孔径、k为光刻工艺系数，三者共同决定投影式光刻机分辨率CD。

光刻机的分辨率与光源波长成正比，想要制造出更小的尺寸，就需要缩短光源的波长，这也是光刻机世代演变的核心。

所以，你不管怎么折射，最终还是要通过光源的波长来解决问题。”

熟知后事的卿云很清楚，程进说的是对的。

浸入式、浸没式、浸润式，其光源都是193nm激光器，随后是根据瑞利公式的另一个参数：孔径，来实现精度的提高。

再之后，便是二次曝光技术，同样是基于193nm的光源。

而最终，在DUV后，ASML还是走了波长13.5nm的EUV路径。

但那是十来年后的事情了。

彼时的ASML已经一家独大，它的领先优势可以随意切换赛道，但此时的光刻机市场却并非如此。

此时还是群雄混战时期，谁先突破，便是赢家通吃。